在特殊應用領域，如核電站、醫療粒子加速器實驗室，環境中的電離輻射(γ射線、中子等)會對電子系統造成嚴重損害，導致器件性能退化、數據翻轉甚至失效。因此，防核輻射加固(Radiation Hardening, RadHard)設計是這些防撞器的部分。
 

　　輻射效應：
 

　　總劑量效應(TID)：長期暴露于低劑量率輻射下，導致MOS管閾值電壓漂移、漏電流增加、光學器件(如LED、CCD)暗電流增加。
 

　　單粒子效應(SEE)：高能粒子撞擊芯片，可能直接導致邏輯翻轉、閂鎖(Latch-up)或損傷。
 

　　加固技術手段：
 

　　器件選型：選用經過專門工藝加固的RadHard芯片，如采用SOI(Silicon-On-Insulator)工藝的CMOS器件，其結構中包含的埋氧層能有效隔離輻射誘導的閂鎖效應。對于核心MCU和SRAM，需選擇具有EDAC(Error Detection And Correction)或TMR(Triple Modular Redundancy)功能的加固器件。
 

　　電路設計加固：
 

　　冗余設計：對關鍵的邏輯電路采用TMR，三個相同的模塊并行工作，多數表決輸出，可容忍單個模塊的SEU故障。
 

　　濾波與屏蔽：在電源輸入端使用抗輻射的LC濾波器和TVS管，控制輻射引起的瞬態電壓尖峰。在PCB層面，增加屏蔽層(如使用鎘或鎢等高原子序數材料)來衰減γ射線。
 

　　加固的ADC/DAC：輻射會改變ADC的零點和增益，需要使用帶有片上校準邏輯的RadHard ADC，并定期進行自檢和校準。
 

　　光學器件加固：
 

　　選用抗輻射的紅外發射管和探測器，例如，通過特殊摻雜和封裝工藝，提高其總劑量耐受能力。
 

　　在光纖探頭的連接處，使用抗輻射的陶瓷或金屬密封件，防止輻射引起的材料性能退化導致光耦合效率下降。
 

　　軟件加固：
 

　　看門狗與復位：使用三重模塊化冗余的看門狗，確保任何單粒子事件導致的程序跑飛都能被及時糾正。
 

　　數據完整性檢查：對所有關鍵數據(如配置參數、校準系數)進行CRC校驗或ECC(Error Correcting Code)校驗，發現并糾正輻射引起的位翻轉。